HFFSD0665BF085_TO-252-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流IO:6A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.3V 參數4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅二極管具備6A的正向電流（IF/A）承載能力，同時支持高達650V的反向電壓（VR/V），使其適用于高電壓要求的電路設計。它擁有低至1.3V的正向壓降（VF/V），有助于減少能量損耗。該二極管的反向漏電流（IR/uA）不超過50微安，表現出優秀的隔離性能。瞬態正向浪涌電流（IFSM/A）最高可達48A，表明它能夠處理瞬間的大電流事件。這些特性使得該元件非常適合用于需要高性能與可靠性的開關電源以及其他對效率要求較高的電子設備中。
