HIDH08G65C5XKSA2_TO-220H-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220H-2L 類(lèi)別：碳化硅二極管 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流IO:8A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.3V 參數(shù)4：反向電流IR:50uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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這款碳化硅二極管具備8A的最大正向電流（IF/A），能夠承受高達(dá)650V的反向電壓（VR/V），適合用于高壓環(huán)境中的電路設(shè)計(jì)。其正向電壓（VF/V）為1.3V，在確保導(dǎo)通的同時(shí)降低了能量損失。反向漏電流（IR/uA）為50μA，顯示了其優(yōu)秀的阻斷性能。此外，該二極管能承受最高64A的瞬時(shí)正向浪涌電流（IFSM/A），這使得它在應(yīng)對(duì)短時(shí)電流峰值方面表現(xiàn)優(yōu)異。這些特性使其成為高頻開(kāi)關(guān)電源和精密電源管理系統(tǒng)中的理想選擇，有助于提升整體系統(tǒng)的效率與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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