HSTPSC10H065GTR_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流IO:10A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.3V 參數4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅二極管具有10A的正向電流（IF/A），能夠在確保效率的同時處理較大的電流。其反向擊穿電壓（VR/V）為650V，提供了可靠的耐壓性能，適用于需要高電壓穩定性的電路設計。該二極管的正向電壓降（VF/V）僅為1.3V，在大電流工作條件下能有效降低能量損耗。此外，它擁有50微安的反向漏電流（IR/uA），表明即使在反向偏置下也有較低的漏電，增強了整體的穩定性。瞬態狀態下的最大正向電流（IFSM/A）可以達到80A，使得該二極管能夠承受短時過載而不損壞。這些特性使其成為高性能電源管理解決方案中的理想選擇。
