US1G-E3/5AT_SMA_快恢復/高效率二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SMA 類別：快恢復/高效率二極管 最小包裝：2000/圓盤 參數1：電流IO:1A 參數2：電壓VR:400V 參數3：壓降VF:1.3V 參數4：反向電流IR:5uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款快恢復二極管具備高效率特點，額定最大平均正向電流（IF）為1A，可承受的最高反向電壓（VR）為400V。當處于正向導通狀態時，其電壓降（VF）為1.3V，有助于保持較高的轉換效率。反向漏電流（IR）維持在較低水平，僅為5μA，同時支持瞬態大電流（IFSM）30A的沖擊。該二極管適用于要求嚴苛的高頻切換電路及需要快速恢復時間的應用場合。
