IDK10G65C5XTMA2_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-263 類別:碳化硅二極管 最小包裝:800/圓盤 參數(shù)1:電流IO:10A 參數(shù)2:電壓VR:650V 參數(shù)3:壓降VF:1.3V 參數(shù)4:反向電流IR:50uA 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款碳化硅二極管具備10安培的正向電流(IF)承載能力,并能承受650伏特的反向電壓(VR)。其正向電壓降(VF)為1.3伏特,有助于提升電路效率。反向漏電流(IR)控制在50微安以內(nèi),展現(xiàn)了良好的阻斷性能。此外,瞬態(tài)正向浪涌電流(IFSM)可以達(dá)到80安培,適合應(yīng)用于需要快速切換且對(duì)電流峰值有一定要求的場(chǎng)景中,如高性能電源轉(zhuǎn)換和其他需要可靠二極管性能的技術(shù)領(lǐng)域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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