IDK10G65C5XTMA2_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：電流IO:10A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.3V 參數(shù)4：反向電流IR:50uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款碳化硅二極管具備10安培的正向電流（IF）承載能力，并能承受650伏特的反向電壓（VR）。其正向電壓降（VF）為1.3伏特，有助于提升電路效率。反向漏電流（IR）控制在50微安以內(nèi)，展現(xiàn)了良好的阻斷性能。此外，瞬態(tài)正向浪涌電流（IFSM）可以達(dá)到80安培，適合應(yīng)用于需要快速切換且對(duì)電流峰值有一定要求的場(chǎng)景中，如高性能電源轉(zhuǎn)換和其他需要可靠二極管性能的技術(shù)領(lǐng)域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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