IDH04G65C6XKSA1_TO-220H-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220H-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流IO:4A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.3V 參數(shù)4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款碳化硅二極管具備4安培的正向電流（IF），可承受高達650伏特的反向電壓（VR），確保了其在高壓條件下的穩(wěn)定表現(xiàn)。該二極管的正向電壓（VF）為1.3伏特，在導(dǎo)通狀態(tài)下能夠減少電力損耗。反向電流（IR）僅為50微安，體現(xiàn)了出色的絕緣性能。同時，它還擁有23安培的最大正向浪涌電流（IFSM），能夠在短時電流峰值情況下保持可靠操作。這些特點使其成為要求嚴苛的電路設(shè)計中的理想選擇，適用于需要高效能開關(guān)功能的多種電子設(shè)備中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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