IDM10G120C5XTMA1_TO-252-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流IO:10A 參數2：電壓VR:1200V 參數3：壓降VF:1.4V 參數4：反向電流IR:100uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅二極管具有10安培的正向電流（IF/A），能夠承受高達1200伏特的反向電壓（VR/V），確保了在高電壓環境下的可靠性。其正向電壓降（VF/V）僅為1.4伏特，在大電流下也能保持較低的能量損耗。該二極管的反向漏電流（IR/uA）控制在100微安，顯示了良好的阻斷性能。此外，瞬態正向浪涌電流（IFSM/A）可達90安培，適用于需要瞬間處理較大電流的應用場合。這些特性使得此二極管在要求嚴苛的電路設計中表現優異。
