IDW40G65C5BXKSA2_TO-247_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅二極管 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IO:40A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.35V 參數4：反向電流IR:40uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款碳化硅二極管具有優異的電性能和穩定性，適用于高效率電力轉換系統。其最大正向電流（IF）為40A，反向耐壓（VR）達650V，具備良好的高壓承載能力。導通時正向壓降（VF）為1.35V，有助于減少能量損耗。在反向阻斷狀態下，漏電流（IR）低至40μA，表現出色的絕緣特性。器件還可承受最高300A的非重復浪涌電流（IFSM），適應復雜工況下的瞬態沖擊。適用于電源變換器、新能源裝置及高性能電子設備中。
