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C6D06065E_TO-252-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：碳化硅二極管最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流IO:6A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.3V 參數(shù)4：反向電流IR:50uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

這款碳化硅二極管具有6安培的最大正向電流（IF/A），并且能夠承受最高650伏特的反向電壓（VR/V）。其正向壓降（VF/V）僅為1.3伏特，在確保高效導(dǎo)電的同時(shí)，有效降低了能量損耗。該二極管在反向偏置條件下，漏電流（IR/uA）控制在50微安以下，表明其在關(guān)閉狀態(tài)下的漏電極低。此外，它擁有高達(dá)48安培的瞬態(tài)浪涌電流能力（IFSM/A），能夠在短時(shí)間內(nèi)處理較大的電流波動(dòng)而不損壞。這些特性使得它適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、逆變器以及其他需要高效率和可靠性的電子設(shè)備中。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

C6D06065E_TO-252-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流IO:6A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.3V 參數(shù)4：反向電流IR:50uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：碳化硅二極管最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流IO:6A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.3V 參數(shù)4：反向電流IR:50uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)