C6D10065E_TO-252-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流IO:10A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.3V 參數(shù)4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款碳化硅二極管具有10安培的最大正向電流（IF/A），并且能夠承受650伏特的最高反向電壓（VR/V）。其正向電壓降（VF/V）為1.3伏特，有助于在導通期間保持低能耗。在反向偏置條件下，漏電流（IR/uA）維持在50微安水平，確保了高阻斷性能。此外，該二極管支持高達80安培的瞬態(tài)浪涌電流（IFSM/A），增強了其應對短時電流尖峰的能力。這些特點使其成為高頻開關(guān)電源和逆變技術(shù)等要求嚴苛應用的理想選擇，適用于追求高性能與可靠性的電子設(shè)計方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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