C6D10065G_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流IO:10A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.3V 參數4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
碳化硅二極管是一款基于先進材料技術的半導體器件，其正向電流（IF）承載能力達10安培，反向重復峰值電壓（VR）為650伏特，確保了在高壓環境下的穩定運行。正向電壓降（VF）低至1.3伏特，在保證高效導電的同時減少了能量損耗。該器件的反向漏電流（IR）僅為50微安，體現了其優異的絕緣性能。此外，它能承受高達80安培的瞬時峰值正向電流（IFSM），增強了應對突發電流沖擊的能力。此款二極管適用于需要高效率和高可靠性的電路設計中，如電源轉換、可再生能源系統及緊湊型電子設備等應用領域。
