IDH04G65C5XKSA2_TO-220H-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220H-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：50/管裝 參數1：電流IO:4A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.3V 參數4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅二極管具有4安培的正向電流（IF），可在高壓環境下穩定工作，其最大反向電壓（VR）為650伏特。正向電壓降（VF）為1.3伏特，有助于減少能量損耗。該二極管的反向漏電流（IR）為50微安，顯示出良好的關閉特性。其峰值電流（IFSM）為23安培，意味著它可以處理瞬時高電流需求。這些特性使得該二極管非常適合應用于需要高效能和可靠性的電子設備中。
