TRS8E65F,S1Q_TO-220H-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220H-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流IO:8A 參數(shù)2：電壓VR:650V 參數(shù)3：壓降VF:1.3V 參數(shù)4：反向電流IR:50uA 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款碳化硅二極管設(shè)計有8安培的最大正向電流（IF/A），可承受最高650伏特的反向電壓（VR/V）。其正向電壓（VF/V）為1.3伏特，在反向應(yīng)用時，其漏電流（IR/uA）限制在50微安。瞬態(tài)峰值電流（IFSM/A）可以達(dá)到64安培。這些特性使其非常適合應(yīng)用于要求高效率與低能耗的高頻開關(guān)電路及類似電子裝置中，有助于提升系統(tǒng)的整體性能并保證穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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