IDK12G65C5_TO-263_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流IO:12A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.3V 參數4：反向電流IR:50uA 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款碳化硅二極管具備12安培的正向電流（IF/A），可承受高達650伏特的反向電壓（VR/V）。其正向電壓（VF/V）為1.3伏特，在確保高效能的同時降低了功耗。反向漏電流（IR/uA）為50微安，體現了優異的絕緣特性。該二極管支持高達90安培的峰值瞬態電流（IFSM/A），適用于需要快速開關及穩定整流性能的應用場合，能有效提升系統的整體效率與可靠性。
