HXYG300N10L_TOLL_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLL 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數1：電流ID:300A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:2mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具備100V漏源電壓（VDSS）和300A持續漏極電流（ID）能力，導通電阻典型值為2mΩ。較低的RDON有助于降低導通損耗，提升整體能效。器件適用于高功率密度的電源系統，如大電流開關電源、直流-直流轉換模塊、儲能系統以及高性能計算設備的供電單元。其電壓與電流參數組合適合需要高效開關性能和良好熱管理的電路設計，可支持對功率傳輸效率和系統可靠性要求較高的應用場景。
