NVMFS6B05NLT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:100A 參數2:電壓VDSS:85V 參數3:RDON:4.3mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這是一款N溝道場效應管,具有85V的漏源電壓(VDSS)和100A的連續漏極電流(ID)能力,適用于高功率密度設計。其導通電阻低至4.3mΩ,有助于減少導通損耗,提升系統整體能效。該器件采用成熟工藝制造,具備良好的熱穩定性和開關特性,適合用于大電流開關電源、直流電機驅動、電池供電設備及高效率電源轉換模塊等場景,是實現高效功率控制的理想選擇之一。
