NVMFS5A140PLZWFT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:3.1mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管具有40V的漏源耐壓（VDSS）和100A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至3.1mΩ，在大電流開關應用中可有效降低導通損耗。P溝道設計使其在高端開關電路中驅動更為簡便，適用于需要高效直流電平轉換和負載開關控制的場景。器件優異的電流承載能力和低內阻特性，使其在高密度電源管理設計中表現出良好的熱穩定性和響應特性，適合對空間與效率有較高要求的便攜式設備與通信模塊。
