SI3441DV-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:3A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:60mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管具有20V的漏源耐壓（VDSS）和3A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDON）低至60mΩ。較低的耐壓值適用于低電壓供電環境，能夠有效控制功率損耗。60mΩ的低導通電阻在小電流負載下可減少發熱，提升能效表現。器件采用P溝道設計，適合用于電源開關、負載切換、電池供電管理及極性反轉保護等電路，常見于便攜式電子設備和直流電源分配系統中，為低壓直流應用提供可靠的開關與保護功能。
