IXFH34N65X3-HXY_TO-247_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:43A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS），可穩(wěn)定工作于較高電壓環(huán)境，適用于高壓開(kāi)關(guān)電路。其連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá)43A，導(dǎo)通電阻（RDON）低至75mΩ，有利于降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)整體效率。該器件在高耐壓與低導(dǎo)通損耗之間實(shí)現(xiàn)良好平衡，適合用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC變換器、逆變?cè)O(shè)備、高功率適配器及電力輸送管理模塊等應(yīng)用，滿足對(duì)能效和熱性能有要求的電力電子設(shè)計(jì)方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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