IPW60R080P7-HXY_TO-247_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:43A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這是一款N溝道增強型功率場效應管，具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS），可承受較高的電壓應力，適用于高壓開關場合。其連續漏極電流（ID）達43A，導通電阻（RDON）低至75mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統效率。器件結合了高耐壓與低導通電阻的特性，適合用于開關電源、DC-DC轉換器、逆變電路及高效率功率開關模塊等應用，滿足對功率密度和熱性能有要求的設計需求。
