IPW60R080P7-HXY_TO-247_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:43A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這是一款N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)管，具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS），可承受較高的電壓應(yīng)力，適用于高壓開關(guān)場合。其連續(xù)漏極電流（ID）達(dá)43A，導(dǎo)通電阻（RDON）低至75mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。器件結(jié)合了高耐壓與低導(dǎo)通電阻的特性，適合用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變電路及高效率功率開關(guān)模塊等應(yīng)用，滿足對功率密度和熱性能有要求的設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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