IXFH34N65X2-HXY_TO-247_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:43A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管具備650V的漏源電壓（VDSS）和43A的連續(xù)漏極電流（ID），適用于中高功率開關(guān)場景。其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）低至75mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體能效。器件采用標(biāo)準(zhǔn)封裝，便于集成于各類電源管理電路中，常用于交直流轉(zhuǎn)換、直流電機驅(qū)動及功率因數(shù)校正等應(yīng)用。高耐壓與大電流能力結(jié)合較低的導(dǎo)通損耗，使其在持續(xù)負(fù)載條件下仍可保持穩(wěn)定性能，滿足對效率與可靠性有較高要求的設(shè)計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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