IXFH34N65X2-HXY_TO-247_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:43A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具備650V的漏源電壓（VDSS）和43A的連續漏極電流（ID），適用于中高功率開關場景。其導通電阻（RDS(on)）低至75mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統整體能效。器件采用標準封裝，便于集成于各類電源管理電路中，常用于交直流轉換、直流電機驅動及功率因數校正等應用。高耐壓與大電流能力結合較低的導通損耗，使其在持續負載條件下仍可保持穩定性能，滿足對效率與可靠性有較高要求的設計需求。
