IAUC100N10S5L040-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:120A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:3.6mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備100V漏源耐壓（VDSS）和120A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDON）低至3.6mΩ，可有效降低大電流工作下的功率損耗。其低導通電阻與高電流承載能力使其適用于高效率電源轉換場景，如大功率同步整流、DC-DC變換器及電機驅動電路。器件在高負載條件下仍能保持良好熱穩定性，適合對能效和功率密度有較高要求的設備，廣泛用于各類高性能開關電源、儲能系統及電力傳輸控制等應用場合。
