FDMS86181E-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:120A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:3.6mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管具有100V的漏源電壓（VDSS）和120A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻低至3.6mΩ，在高電流開關(guān)應(yīng)用中可有效減少傳導(dǎo)損耗。其低RDSON特性有助于提升系統(tǒng)效率并降低溫升，適用于對功率密度和能效要求較高的場景。器件采用標(biāo)準(zhǔn)封裝，便于集成于各類電源管理電路中，廣泛用于同步整流、DC-DC轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高電流負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用，是高性能功率開關(guān)的理想選擇之一。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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