2SK1971-E-HXY_TO-3P_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3P 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:28A 參數2：電壓VDSS:500V 參數3：RDON:150mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET具有500V的漏源電壓（VDSS）和28A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為150mΩ，適用于中高電壓開關應用。其較高的耐壓能力適合工作在高壓電源環境中，能夠有效支持開關電源中的功率控制需求。器件在快速開關過程中表現出良好的穩定性和較低的導通損耗，常用于反激式或正激式轉換拓撲中，適用于高壓直流變換、電源適配器、LED驅動電源及各類功率因數校正（PFC）電路，是高壓功率開關應用中的典型選擇。
