2SK1971-E-HXY_TO-3P_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-3P 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:28A 參數(shù)2：電壓VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:150mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買>-------
該N溝道MOSFET具有500V的漏源電壓（VDSS）和28A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）為150mΩ，適用于中高電壓開關(guān)應(yīng)用。其較高的耐壓能力適合工作在高壓電源環(huán)境中，能夠有效支持開關(guān)電源中的功率控制需求。器件在快速開關(guān)過程中表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性和較低的導(dǎo)通損耗，常用于反激式或正激式轉(zhuǎn)換拓?fù)渲?，適用于高壓直流變換、電源適配器、LED驅(qū)動(dòng)電源及各類功率因數(shù)校正（PFC）電路，是高壓功率開關(guān)應(yīng)用中的典型選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
