IPD70N10S3-12-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:70A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:8.2mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
該N溝道場效應(yīng)管具有100V的漏源電壓（VDSS）和70A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻低至8.2mΩ，在高電流開關(guān)應(yīng)用中可有效減少傳導(dǎo)損耗。其低RDON特性有助于提升系統(tǒng)效率，降低溫升，適用于對功率密度和能效要求較高的場合。器件采用標(biāo)準(zhǔn)封裝，便于集成于各類電源管理電路中，廣泛用于直流-直流轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動控制及高密度電源模塊等場景，是實(shí)現(xiàn)高效開關(guān)操作的典型選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
