DI100N10PQ-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:120A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:3.6mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具備100V漏源電壓（VDSS）和高達120A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻僅為3.6mΩ，顯著降低導通損耗，提升系統整體能效。低RDON特性使其在大電流工作條件下仍能保持較低溫升，適用于高功率密度設計。器件適用于各類高效開關電源、直流電機驅動、電池供電設備及大功率轉換模塊，可有效改善熱性能與效率表現，是高性能功率開關應用中的典型場效應管解決方案。
