DI100N10PQ-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:120A 參數2:電壓VDSS:100V 參數3:RDON:3.6mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具備100V漏源電壓(VDSS)和高達120A的連續漏極電流(ID)能力,導通電阻僅為3.6mΩ,顯著降低導通損耗,提升系統整體能效。低RDON特性使其在大電流工作條件下仍能保持較低溫升,適用于高功率密度設計。器件適用于各類高效開關電源、直流電機驅動、電池供電設備及大功率轉換模塊,可有效改善熱性能與效率表現,是高性能功率開關應用中的典型場效應管解決方案。
