SIR668DP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:120A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:3.6mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管具有100V的漏源擊穿電壓（VDSS）和120A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDON）為3.6mΩ，有助于降低導通損耗并提升整體能效。其低電阻特性在高電流工作條件下可減少發熱，改善熱管理。適用于大功率電源轉換、高效率直流-直流變換器、電池管理系統及高電流開關電路。器件性能滿足對功率密度和穩定性要求較高的應用需求，適合用于需要可靠控制和高效能量傳輸的電子系統中。
