IAUC100N10S5N040-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:120A 參數2:電壓VDSS:100V 參數3:RDON:3.6mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有100V的漏源電壓(VDSS)和120A的連續漏極電流(ID)能力,導通電阻低至3.6mΩ,在高電流開關應用中可有效降低導通損耗。其低RDON特性有助于提升系統效率,減少散熱需求,適用于對功率密度和能效要求較高的直流電源轉換、大電流負載開關及高性能數字電源等場景。器件參數符合主流同步整流與電池管理系統的性能需求,是處理大電流脈沖和持續負載的理想選擇之一。
