BSC050N10NS5-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:85V 參數(shù)3：RDON:4.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管具有85V漏源電壓（VDSS）和100A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻低至4.3mΩ。低RDON有助于減小導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)能效并降低溫升。適用于高功率密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如大電流開關(guān)電源、高效直流-直流變換器、電池供電設(shè)備的功率控制以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。其電氣性能支持穩(wěn)定可靠的高電流開關(guān)操作，適合對(duì)熱管理和電能利用率有較高要求的電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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