NTMFS4D2N10MDT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:120A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:3.6mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有100V漏源電壓（VDSS）和120A連續漏極電流（ID）能力，適用于高電流開關場景。其導通電阻低至3.6mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統能效。采用先進工藝技術，具備優良的熱穩定性和開關特性，適合用于高性能電源轉換、大功率DC-DC變換器及電池管理系統中的功率控制。器件結構優化，支持高密度布局，有助于提升整體電路的功率密度與運行可靠性。
