SIR170DP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:120A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:3.6mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具備100V漏源電壓（VDSS）和高達120A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻僅為3.6mΩ。低RDON顯著降低了導通損耗，有助于提高電源轉換效率并減少散熱需求。器件適用于高電流開關應用，如大功率電源模塊、高效直流-直流變換電路、電池管理系統中的功率控制，以及對能效和熱性能要求較高的設備。其電氣特性支持穩定可靠的功率傳輸與管理。
