SIR170DP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:120A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:3.6mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管具備100V漏源電壓（VDSS）和高達(dá)120A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻僅為3.6mΩ。低RDON顯著降低了導(dǎo)通損耗，有助于提高電源轉(zhuǎn)換效率并減少散熱需求。器件適用于高電流開關(guān)應(yīng)用，如大功率電源模塊、高效直流-直流變換電路、電池管理系統(tǒng)中的功率控制，以及對(duì)能效和熱性能要求較高的設(shè)備。其電氣特性支持穩(wěn)定可靠的功率傳輸與管理。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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