IPD12CN10NGATMA1-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:70A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:8.2mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這是一款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，具有100V的漏源電壓（VDSS）和70A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻低至8.2mΩ。低RDON有助于減少導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升系統(tǒng)整體能效。該器件適用于需要高效開關(guān)和負(fù)載管理的電源系統(tǒng)，可用于直流-直流轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及高電流電源開關(guān)等場(chǎng)景，其性能表現(xiàn)能夠滿足對(duì)功率密度和熱管理有較高要求的應(yīng)用需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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