IPD12CN10NGATMA1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:70A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:8.2mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這是一款N溝道場效應管，具有100V的漏源電壓（VDSS）和70A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至8.2mΩ。低RDON有助于減少導通狀態下的功率損耗，提升系統整體能效。該器件適用于需要高效開關和負載管理的電源系統，可用于直流-直流轉換、電機驅動以及高電流電源開關等場景，其性能表現能夠滿足對功率密度和熱管理有較高要求的應用需求。
