SIR104LDP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:85V 參數(shù)3：RDON:4.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管具備85V漏源電壓（VDSS）和100A連續(xù)漏極電流（ID）能力，適用于中高功率開關(guān)電路。其導(dǎo)通電阻為4.3mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗，提高能效表現(xiàn)。器件采用先進半導(dǎo)體工藝，具有良好的熱穩(wěn)定性與開關(guān)速度，適合用于大電流電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換模塊及電機控制等應(yīng)用。優(yōu)化的柵極設(shè)計減少了開關(guān)過程中的能量損耗，配合緊湊封裝，有利于實現(xiàn)高密度電路集成與可靠性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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