SIR104LDP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:100A 參數(shù)2:電壓VDSS:85V 參數(shù)3:RDON:4.3mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價:歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管具備85V漏源電壓(VDSS)和100A連續(xù)漏極電流(ID)能力,適用于中高功率開關(guān)電路。其導(dǎo)通電阻為4.3mΩ,有助于降低導(dǎo)通損耗,提高能效表現(xiàn)。器件采用先進半導(dǎo)體工藝,具有良好的熱穩(wěn)定性與開關(guān)速度,適合用于大電流電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換模塊及電機控制等應(yīng)用。優(yōu)化的柵極設(shè)計減少了開關(guān)過程中的能量損耗,配合緊湊封裝,有利于實現(xiàn)高密度電路集成與可靠性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
