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DMPH6250S-13-HXY_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23-3L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:3A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:115mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢

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該P溝道場效應管具有60V的漏源電壓(VDSS)和3A的連續漏極電流(ID)能力,導通電阻(RDS(ON))低至115mΩ,有助于減少導通損耗并提升系統效率。P溝道設計使其在高邊開關和負載開關應用中具備簡化驅動電路的優勢。該器件適用于需要直流電壓轉換、電源管理及信號切換功能的便攜式設備與通用電子裝置,可用于同步整流、電池供電系統的電源控制以及各類開關電路中,滿足對空間和能效有要求的緊湊型設計需求。

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