NTMFS005N10MCLT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:85V 參數(shù)3：RDON:4.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管具有85V漏源電壓（VDSS）和高達100A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導通電阻低至4.3mΩ，可有效降低大電流條件下的導通損耗，提升系統(tǒng)能效。N溝道結構使其在低邊開關應用中具備優(yōu)異的開關性能與驅動兼容性。適用于高功率密度的直流電源系統(tǒng)、高效電壓轉換模塊、大電流開關電路以及電池供電的高性能電子設備中的功率控制環(huán)節(jié)，可滿足對熱性能和電氣性能要求較高的設計需求，尤其適合需要承載大電流并維持低功耗的場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
