SQ7415CENW-T1_GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:49mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管具有60V漏源電壓（VDSS）和20A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻為49mΩ，適用于中等功率的開關控制場景。其P溝道結構簡化了柵極驅動設計，常用于高邊開關或電源通路管理電路中。器件適合部署于電池供電設備的電源切換、便攜式電子產品中的負載開關以及DC-DC電源架構的反向電流保護等應用，能夠滿足對電路簡潔性與可靠性有一定要求的低功耗系統設計需求。
