NVMFD5C674NLWFT1G-HXY_DFN5X6B-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6B-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:35A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:11mR 參數4:溝道類型:N+N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具備60V漏源電壓(VDSS)和35A連續漏極電流(ID)能力,導通電阻(RDS(on))低至11mΩ,可顯著降低大電流下的導通損耗,提升系統效率。其N溝道結構適用于同步整流、高效開關電源及電機驅動等應用,支持高頻開關操作。器件可用于直流-直流轉換器、電池管理系統、高功率負載開關及便攜式設備電源模塊,滿足對功率密度和能效有較高要求的電路設計,適合需要低熱耗散與緊湊布局的中高功率電子系統。
