NVMFD5C674NLWFT1G-HXY_DFN5X6B-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6B-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:35A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:11mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具備60V漏源電壓（VDSS）和35A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(on)）低至11mΩ，可顯著降低大電流下的導通損耗，提升系統效率。其N溝道結構適用于同步整流、高效開關電源及電機驅動等應用，支持高頻開關操作。器件可用于直流-直流轉換器、電池管理系統、高功率負載開關及便攜式設備電源模塊，滿足對功率密度和能效有較高要求的電路設計，適合需要低熱耗散與緊湊布局的中高功率電子系統。
