NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:3.7mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有60V漏源電壓（VDSS）和100A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至3.7mΩ，具備優異的導通性能，有助于減少功率損耗并提升系統整體能效。低電阻特性使其在大電流工作條件下仍能保持較低溫升，適用于高密度電源轉換模塊、高效直流電機驅動及大功率開關電源電路。器件適合用于對電流承載能力和熱穩定性要求較高的應用場景，可為高性能電子系統中的功率開關環節提供可靠的技術支持。
