NVMFS5C646NLWFAFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:3.7mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管具有60V漏源電壓（VDSS）和100A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導通電阻低至3.7mΩ，具備優(yōu)異的導通性能，有助于減少功率損耗并提升系統(tǒng)整體能效。低電阻特性使其在大電流工作條件下仍能保持較低溫升，適用于高密度電源轉(zhuǎn)換模塊、高效直流電機驅(qū)動及大功率開關(guān)電源電路。器件適合用于對電流承載能力和熱穩(wěn)定性要求較高的應(yīng)用場景，可為高性能電子系統(tǒng)中的功率開關(guān)環(huán)節(jié)提供可靠的技術(shù)支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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