DMN65D8L-7-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:0.3A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:1900mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有60V的漏源電壓（VDSS）和0.3A的連續漏極電流（ID），導通電阻為1900mΩ。其適中的電壓與電流能力，結合相對較低的導通電阻，有助于提升開關效率并減少功耗。器件適用于中低功率的直流電源管理、電池供電設備的開關控制以及各類小型電子設備中的信號切換與負載驅動，可作為高效的開關元件用于電源轉換、便攜式電子產品及通用模擬開關電路中，滿足對空間和能效有要求的設計需求。
