SIR186LDP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:3.7mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這是一款N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管，具有60V的漏源電壓（VDSS）和100A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻低至3.7mΩ。該器件適用于需要高效能功率轉(zhuǎn)換的場景，其低RDON特性有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體能效。得益于較高的電流承載能力和良好的熱穩(wěn)定性，該MOSFET適合用于直流電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制及高密度電源轉(zhuǎn)換電路中，作為開關(guān)元件實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng)與穩(wěn)定運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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