SIR186LDP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:100A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:3.7mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這是一款N溝道增強型場效應管,具有60V的漏源電壓(VDSS)和100A的連續漏極電流(ID)能力,導通電阻低至3.7mΩ。該器件適用于需要高效能功率轉換的場景,其低RDON特性有助于減少導通損耗,提升系統整體能效。得益于較高的電流承載能力和良好的熱穩定性,該MOSFET適合用于直流電源管理、電機驅動控制及高密度電源轉換電路中,作為開關元件實現快速響應與穩定運行。
