SIR186LDP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:3.7mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這是一款N溝道增強型場效應管，具有60V的漏源電壓（VDSS）和100A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至3.7mΩ。該器件適用于需要高效能功率轉換的場景，其低RDON特性有助于減少導通損耗，提升系統整體能效。得益于較高的電流承載能力和良好的熱穩定性，該MOSFET適合用于直流電源管理、電機驅動控制及高密度電源轉換電路中，作為開關元件實現快速響應與穩定運行。
