NVMFS5A140PLZT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:3.1mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該P(yáng)溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有40V漏源耐壓（VDSS）和100A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻低至3.1mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。P溝道結(jié)構(gòu)適用于高邊開關(guān)配置，簡化驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。其高電流承載能力和低功耗特性，使其適合用于大功率直流電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)及多相電壓調(diào)節(jié)模塊中。可廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算設(shè)備、通信電源單元、儲能裝置以及便攜式高功率電子設(shè)備的功率控制電路，支持緊湊化與高能效設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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