NVMFS5A140PLZT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:3.1mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管（MOSFET）具有40V漏源耐壓（VDSS）和100A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至3.1mΩ，有助于降低導通損耗并提升系統效率。P溝道結構適用于高邊開關配置，簡化驅動電路設計。其高電流承載能力和低功耗特性，使其適合用于大功率直流電源轉換、電池管理系統及多相電壓調節模塊中。可廣泛應用于高性能計算設備、通信電源單元、儲能裝置以及便攜式高功率電子設備的功率控制電路，支持緊湊化與高能效設計需求。
