NVMFS5A140PLZWFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:3.1mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管（MOSFET）具備40V漏源電壓（VDSS）和100A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至3.1mΩ，可有效降低功率損耗并提高系統效率。其P溝道特性適用于高邊開關應用，簡化柵極驅動設計。該器件適合用于大電流電源管理電路，如多相電壓調節模塊、電池供電系統、直流電源轉換器及高性能計算平臺的供電單元。憑借優異的導通性能和高電流處理能力，可支持緊湊型高功率密度系統的實現，適用于通信設備、便攜式高功率裝置等對能效和空間要求較高的場景。
