NVMFS5A140PLZWFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:3.1mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備40V漏源電壓（VDSS）和100A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻低至3.1mΩ，可有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。其P溝道特性適用于高邊開關(guān)應(yīng)用，簡化柵極驅(qū)動設(shè)計。該器件適合用于大電流電源管理電路，如多相電壓調(diào)節(jié)模塊、電池供電系統(tǒng)、直流電源轉(zhuǎn)換器及高性能計算平臺的供電單元。憑借優(yōu)異的導(dǎo)通性能和高電流處理能力，可支持緊湊型高功率密度系統(tǒng)的實現(xiàn)，適用于通信設(shè)備、便攜式高功率裝置等對能效和空間要求較高的場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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