SI7155DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:100A 參數2:電壓VDSS:40V 參數3:RDON:3.1mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這是一款P溝道場效應管(MOSFET),具備40V的漏源電壓(VDSS)和100A的連續漏極電流(ID)能力,導通電阻低至3.1mΩ。低RDON有助于減少導通損耗,提升能效,適用于需要大電流開關和功率控制的場景。P溝道結構使其在高端開關應用中驅動較為簡便,適合集成在電源管理模塊、直流電源轉換電路以及電池供電設備的保護電路中。其高電流承載能力和低功耗特性,支持緊湊型高功率密度設計,可用于通信設備、便攜式儀器及高性能計算平臺的電源系統。
