SI7155DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:3.1mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這是一款P溝道場效應管（MOSFET），具備40V的漏源電壓（VDSS）和100A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至3.1mΩ。低RDON有助于減少導通損耗，提升能效，適用于需要大電流開關和功率控制的場景。P溝道結構使其在高端開關應用中驅動較為簡便，適合集成在電源管理模塊、直流電源轉換電路以及電池供電設備的保護電路中。其高電流承載能力和低功耗特性，支持緊湊型高功率密度設計，可用于通信設備、便攜式儀器及高性能計算平臺的電源系統。
