RS1G120MNTB-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:40A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:11mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應管具備40V漏源電壓（VDSS）和40A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導通電阻典型值為11mΩ。較低的RDSON有助于減少高負載條件下的功率損耗，提升系統(tǒng)能效。器件適用于中等電壓直流開關(guān)應用，如大功率電源管理模塊、電池供電設備中的能量切換、高效DC-DC轉(zhuǎn)換電路以及對熱性能和空間布局有要求的緊湊型電子產(chǎn)品，可滿足對穩(wěn)定性和導通效率有一定需求的功率控制場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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