RS1G120MNTB-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:40A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:11mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具備40V漏源電壓（VDSS）和40A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻典型值為11mΩ。較低的RDSON有助于減少高負載條件下的功率損耗，提升系統能效。器件適用于中等電壓直流開關應用，如大功率電源管理模塊、電池供電設備中的能量切換、高效DC-DC轉換電路以及對熱性能和空間布局有要求的緊湊型電子產品，可滿足對穩定性和導通效率有一定需求的功率控制場景。
