SQJ848EP-T1_GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:55A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具有40V漏源電壓（VDSS）和55A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至6.5mΩ，能有效降低大電流工作時的導通損耗。其低電阻特性有助于減少發熱，提升系統能效和熱穩定性。適用于高功率密度電源系統、便攜式高能設備的功率控制、高效DC-DC轉換器、電池管理系統中的開關模塊，以及對導通效率和散熱性能要求較高的電子設備，適合用于中等電壓、大電流開關應用中的可靠功率切換。
