SQJ848EP-T1_GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:55A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管具有40V漏源電壓（VDSS）和55A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻低至6.5mΩ，能有效降低大電流工作時的導(dǎo)通損耗。其低電阻特性有助于減少發(fā)熱，提升系統(tǒng)能效和熱穩(wěn)定性。適用于高功率密度電源系統(tǒng)、便攜式高能設(shè)備的功率控制、高效DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)中的開關(guān)模塊，以及對導(dǎo)通效率和散熱性能要求較高的電子設(shè)備，適合用于中等電壓、大電流開關(guān)應(yīng)用中的可靠功率切換。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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