DMTH32M5LPSQ-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:150A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:1.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管具備30V漏源電壓（VDSS）和高達150A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導通電阻低至1.5mΩ，適用于大電流開關(guān)應(yīng)用。其低RDSON特性顯著降低導通損耗，提升整體能效，適合對熱性能和空間布局要求較高的設(shè)計。常用于高性能電源轉(zhuǎn)換、大功率直流電機控制、儲能系統(tǒng)及同步整流等電路中，能夠有效支持高密度、高效率的電力管理方案，滿足復(fù)雜電子設(shè)備對穩(wěn)定性和響應(yīng)速度的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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