DMT35M7LFV-13-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:90A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:3.5mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具備30V漏源電壓(VDSS)和90A連續漏極電流(ID)能力,導通電阻典型值為3.5mΩ,在高電流工作條件下可有效降低功率損耗。低RDON有助于減少發熱,提升能效,適用于對熱管理要求較高的電路設計。器件采用成熟封裝工藝,具有良好的電氣穩定性和耐用性,適合應用于開關電源、電池供電設備、直流電機控制及大電流功率轉換等場景,滿足高性能功率開關對效率與可靠性的需求。
