DMT35M7LFV-13-HXY_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:90A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管具備30V漏源電壓（VDSS）和90A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻典型值為3.5mΩ，在高電流工作條件下可有效降低功率損耗。低RDON有助于減少發(fā)熱，提升能效，適用于對(duì)熱管理要求較高的電路設(shè)計(jì)。器件采用成熟封裝工藝，具有良好的電氣穩(wěn)定性和耐用性，適合應(yīng)用于開關(guān)電源、電池供電設(shè)備、直流電機(jī)控制及大電流功率轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景，滿足高性能功率開關(guān)對(duì)效率與可靠性的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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