SIRA84BDP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:90A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這是一款N溝道場效應管（MOSFET），具備30V漏源電壓（VDSS）和90A連續漏極電流（ID）能力，適用于高電流開關應用。其導通電阻低至3mΩ，有效降低導通損耗，提高電源轉換效率。器件支持快速開關響應，適合高頻工作環境，可用于直流-直流變換電路、大電流電源開關及電機驅動模塊等場景。N溝道結構在適配合理柵極驅動條件下，可實現穩定可靠的控制性能，是高密度電源設計中的關鍵元件，適用于對能效和散熱有較高要求的電子系統。
