SISA14BDN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:90A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:3.5mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這是一款N溝道場效應管(MOSFET),具有30V的漏源電壓(VDSS)和90A的連續漏極電流(ID)能力,適用于高電流開關場景。其導通電阻低至3.5mΩ,有助于減少導通損耗,提升系統效率。器件采用標準封裝,便于集成于各類電源管理電路中,可用于直流-直流轉換、電機驅動控制及負載開關等應用。N溝道設計配合合適的柵極驅動,可實現快速開關響應,滿足高頻工作需求,適用于對空間和能效有要求的電子設備。
