AONR32314-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:35A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:7.5mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具備30V漏源電壓(VDSS)和35A持續漏極電流(ID)能力,導通電阻典型值為7.5mΩ,有助于降低功率損耗并提升系統效率。器件采用優化的溝道設計,具備良好的開關速度與熱穩定性,適用于中等功率級別的電源轉換與控制電路。其低導通電阻特性適合用于同步整流、電池供電設備的電源管理模塊以及直流電機驅動中的開關元件。封裝緊湊,利于高密度布局,滿足對能效和空間利用率均有要求的便攜式電子設備與高性能電源系統。
