AONR32314-HXY_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:35A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管具備30V漏源電壓（VDSS）和35A持續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻典型值為7.5mΩ，有助于降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。器件采用優(yōu)化的溝道設(shè)計，具備良好的開關(guān)速度與熱穩(wěn)定性，適用于中等功率級別的電源轉(zhuǎn)換與控制電路。其低導(dǎo)通電阻特性適合用于同步整流、電池供電設(shè)備的電源管理模塊以及直流電機(jī)驅(qū)動中的開關(guān)元件。封裝緊湊，利于高密度布局，滿足對能效和空間利用率均有要求的便攜式電子設(shè)備與高性能電源系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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